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dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorJoumori, Sen
dc.contributor.authorSuzuki, Men
dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorOsipowicz, Ten
dc.contributor.authorTok, KLen
dc.contributor.authorZheng, JZen
dc.contributor.authorSee, Aen
dc.contributor.authorZhang, BCen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:37:18Z-
dc.date.available2007-03-28T03:37:18Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6118-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleStrain profiling of HfO2/Si(001) interface with high-resolution Rutherford backscattering spectroscopyen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume83-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage296-
dc.identifier.epage298-
dc.relation.doi10.1063/1.1592310-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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