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dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorToyofuku, Hen
dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.date.accessioned2007-03-28T04:11:05Z-
dc.date.available2007-03-28T04:11:05Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.issn0021-4922-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6126-
dc.language.isoeng-
dc.publisherINST PURE APPLIED PHYSICSen
dc.subjectultralow energyen
dc.subjection implantationen
dc.subjectamorphizationen
dc.subjectdefecten
dc.subjecthigh-resolutionen
dc.subjectRBSen
dc.titleAnomalous surface amorphization of Si(001) induced by 3-5 keV Ar+ ion bombardmenten
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERSen
dc.identifier.volume40-
dc.identifier.issue4A-
dc.identifier.spage2119-
dc.identifier.epage2122-
dc.relation.doi10.1143/JJAP.40.2119-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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