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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Nakamura, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:52:54Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:52:54Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6146 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | surface structure | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition processes semiconducting silicon compounds | en |
| dc.title | Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 256 | - |
| dc.identifier.issue | 3-4 | - |
| dc.identifier.spage | 341 | - |
| dc.identifier.epage | 346 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0022-0248(03)01385-X | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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