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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Nakamura, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:59:35Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:59:35Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6148 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition processes | en |
| dc.subject | semiconducting silicon compounds | en |
| dc.title | Rate-determining process in chemical vapor deposition of SiC on off-axis alpha-SiC (0001) | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 270 | - |
| dc.identifier.issue | 3-4 | - |
| dc.identifier.spage | 455 | - |
| dc.identifier.epage | 461 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.jcrysgro.2004.06.049 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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