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dc.contributor.authorNakamura, Sen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.contributor.authorTanaka, Sen
dc.contributor.authorTeraguchi, Nen
dc.contributor.authorSuzuki, Aen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:17:20Z-
dc.date.available2007-03-28T03:17:20Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6149-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleFormation of periodic steps with a unit-cell height on 6H-SiC (0001) surface by HCl etchingen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume76-
dc.identifier.issue23-
dc.identifier.spage3412-
dc.identifier.epage3414-
dc.relation.doi10.1063/1.126663-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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