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dc.contributor.authorNakazawa, Sen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorHashimoto, Ken
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:12:48Z-
dc.date.available2007-03-28T03:12:48Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.issn0022-0248-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6271-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectchemical vapor depositionen
dc.subjectvapor phase epitaxyen
dc.subjectsilicon carbideen
dc.subjectsemiconducting silicon compoundsen
dc.subjectpower devicesen
dc.titleHigh-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall chemical vapor depositionen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF CRYSTAL GROWTHen
dc.identifier.volume237-
dc.identifier.spage1213-
dc.identifier.epage1218-
dc.relation.doi10.1016/S0022-0248(01)02174-1-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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