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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:38:55Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:38:55Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6281 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | SiC | en |
| dc.subject | 4H-SiC (1120) | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | pn diode | en |
| dc.title | Robust 4H-SiC pn diodes fabricated using (1120) face | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 43 | - |
| dc.identifier.issue | 2 | - |
| dc.identifier.spage | 471 | - |
| dc.identifier.epage | 476 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.43.471 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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