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dc.contributor.authorNitta, Nen
dc.contributor.authorTaniwaki, Men
dc.contributor.authorSuzuki, Ten
dc.contributor.authorHayashi, Yen
dc.contributor.authorSatoh, Yen
dc.contributor.authorYoshiie, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T03:18:29Z-
dc.date.available2007-03-28T03:18:29Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.issn1345-9678-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6373-
dc.language.isoeng-
dc.publisherJAPAN INST METALSen
dc.subjectgallium antimonideen
dc.subjecttin ion-implantationen
dc.subjectIII-V compound semiconductoren
dc.subjectpoint defectsen
dc.subjectvacancyen
dc.subjectinterstitialen
dc.subjecthoney-comben
dc.subjectlow temperature implantationen
dc.subjectcross-sectional transmission electron microscopyen
dc.subjectFourier transformationen
dc.subjectamorphousen
dc.subjectmicrotwinen
dc.subjecthigh resolution transmission electron microscopyen
dc.subjectenergy dispersive X-ray spectroscopyen
dc.subjectscanning electron microscopyen
dc.subjectanomalous behavioren
dc.subjectswellingen
dc.subjectelevationen
dc.subjectcavityen
dc.subjectvoiden
dc.subjectsurface defecten
dc.subjectstrainen
dc.subjectlocal compositionen
dc.subjectdefect structureen
dc.subjectdefect formation mechanismen
dc.titleFormation of anomalous defect structure on GaSb surface by low temperature Sn ion-implantationen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleMATERIALS TRANSACTIONSen
dc.identifier.volume43-
dc.identifier.issue4-
dc.identifier.spage674-
dc.identifier.epage680-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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