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DCフィールド言語
dc.contributor.authorNohira, Hen
dc.contributor.authorKuroiwa, Ten
dc.contributor.authorNakamura, Aen
dc.contributor.authorHirose, Yen
dc.contributor.authorHirose, Yen
dc.contributor.authorMitsui, Jen
dc.contributor.authorSakai, Wen
dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorSuzuki, Men
dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorSawano, Ken
dc.contributor.authorNakagawa, Ken
dc.contributor.authorShiraki, Yen
dc.contributor.authorHattori, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T03:47:46Z-
dc.date.available2007-03-28T03:47:46Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.issn0169-4332-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6393-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectangle-resolved photoelectron spectroscopyen
dc.subjectRutherford back scatteringen
dc.subjectdepth profilingen
dc.subjectSiO2/Si interfaceen
dc.titleQuality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees Cen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED SURFACE SCIENCEen
dc.identifier.volume237-
dc.identifier.issue1-4-
dc.identifier.spage134-
dc.identifier.epage138-
dc.relation.doi10.1016/j.apsusc.2004.06.042-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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