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完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
---|---|---|
dc.contributor.author | Nohira, H | en |
dc.contributor.author | Kuroiwa, T | en |
dc.contributor.author | Nakamura, A | en |
dc.contributor.author | Hirose, Y | en |
dc.contributor.author | Hirose, Y | en |
dc.contributor.author | Mitsui, J | en |
dc.contributor.author | Sakai, W | en |
dc.contributor.author | Nakajima, K | en |
dc.contributor.author | Suzuki, M | en |
dc.contributor.author | Kimura, K | en |
dc.contributor.author | Sawano, K | en |
dc.contributor.author | Nakagawa, K | en |
dc.contributor.author | Shiraki, Y | en |
dc.contributor.author | Hattori, T | en |
dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:47:46Z | - |
dc.date.available | 2007-03-28T03:47:46Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.issn | 0169-4332 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6393 | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
dc.subject | angle-resolved photoelectron spectroscopy | en |
dc.subject | Rutherford back scattering | en |
dc.subject | depth profiling | en |
dc.subject | SiO2/Si interface | en |
dc.title | Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees C | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.jtitle | APPLIED SURFACE SCIENCE | en |
dc.identifier.volume | 237 | - |
dc.identifier.issue | 1-4 | - |
dc.identifier.spage | 134 | - |
dc.identifier.epage | 138 | - |
dc.relation.doi | 10.1016/j.apsusc.2004.06.042 | - |
dc.textversion | none | - |
dcterms.accessRights | metadata only access | - |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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