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dc.contributor.authorOgata, Ken
dc.contributor.authorKawanishi, Ten
dc.contributor.authorMaejima, Ken
dc.contributor.authorSakurai, Ken
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:27:19Z-
dc.date.available2007-03-28T03:27:19Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.issn0021-4922-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6514-
dc.language.isoeng-
dc.publisherINST PURE APPLIED PHYSICSen
dc.subjectZnOen
dc.subjectMOVPEen
dc.subjectexcitonen
dc.subjectphotoluminescenceen
dc.subjecthomoepitaxyen
dc.titleImprovements of ZnO qualities grown by metal-organic vapor phase epitaxy using a molecular beam epitaxy grown ZnO layer as a substrateen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERSen
dc.identifier.volume40-
dc.identifier.issue7A-
dc.identifier.spageL657-
dc.identifier.epageL659-
dc.relation.doi10.1143/JJAP.40.L657-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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