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dc.contributor.authorOno, Teruoen
dc.contributor.authorMiyajima, Hidekien
dc.contributor.authorShigeto, Kunjien
dc.contributor.authorShinjo, Teruyaen
dc.date.accessioned2008-08-25T06:07:32Z-
dc.date.available2008-08-25T06:07:32Z-
dc.date.issued1999-03-
dc.identifier.issn1342-0321-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/65200-
dc.description.abstractThe magnetization reversal phenomenon in a submicron magnetic wire with a trilayer structure consisting of NiFe(20nm)/Cu(10nm)/NiFe(5nm) was investigated by measuring the electric resistance in an external magnetic field. A giant magnetoresistance (GMR) effect of about 0.8 % was observed when the magnetizations in two NiFe layers are oriented antiparallel. It is demonstrated that magnetization reversal phenomena can be very sensitively investigated by utilizing the GMR effect.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherInstitute for Chemical Research, Kyoto Universityen
dc.subjectmagnetization reversalen
dc.subjectsubmicron magnetic wireen
dc.subjectmagnetic domain wallen
dc.subjectgiant magnetoresistanceen
dc.subject.ndc430-
dc.titleMagnetization reversal in submicron magnetic wire studied by using giant magnetoresistance effect (SOLID STATE CHEMISTRY-Artificial Lattice Alloys)en
dc.typearticle-
dc.type.niitypeArticle-
dc.identifier.ncidAA11061308-
dc.identifier.jtitleICR Annual Reporten
dc.identifier.volume5-
dc.identifier.spage16-
dc.identifier.epage17-
dc.textversionpublisher-
dc.sortkey10-
dcterms.accessRightsopen access-
dc.identifier.pissn1342-0321-
出現コレクション:Vol.5 (1998)

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