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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Okada, T | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Yamai, K | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.contributor.author | Inoko, F | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:27:35Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:27:35Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0921-5093 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6667 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE SA | en |
| dc.subject | silicon carbide (SiC) | en |
| dc.subject | polytype | en |
| dc.subject | homoepitaxy | en |
| dc.subject | surface morphological fault | en |
| dc.subject | transmission electron microscopy (TEM) | en |
| dc.subject | stacking fault (SF) | en |
| dc.title | Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING | en |
| dc.identifier.volume | 361 | - |
| dc.identifier.issue | 1-2 | - |
| dc.identifier.spage | 67 | - |
| dc.identifier.epage | 74 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0921-5093(03)00520-3 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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