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dc.contributor.authorTasaka, A.en
dc.contributor.authorWatanabe, E.en
dc.contributor.authorKai, T.en
dc.contributor.authorShimizu, W.en
dc.contributor.authorKanatani, T.en
dc.contributor.authorInaba, M.en
dc.contributor.authorTojo, T.en
dc.contributor.authorTanaka, M.en
dc.contributor.authorAbe, T.en
dc.contributor.authorOgumi, Z.en
dc.date.accessioned2008-11-17T02:59:33Z-
dc.date.available2008-11-17T02:59:33Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.issn0734-2101-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/67107-
dc.language.isoeng-
dc.publisherA V S AMER INST PHYSICSen
dc.titleEffect of oxygen concentration on the spike formation during reactive ion etching of SiC using the mixed gas plasma of NF3 and O-2en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY Aen
dc.identifier.volume25-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage391-
dc.identifier.epage400-
dc.relation.doi10.1116/1.2699473-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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