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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Hori, Tsutomu | en |
| dc.contributor.author | Danno, Katsunori | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.date.accessioned | 2008-11-17T03:01:06Z | - |
| dc.date.available | 2008-11-17T03:01:06Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/67209 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | hot-wall epitaxy | en |
| dc.subject | vapor phase epitaxy | en |
| dc.subject | semiconducting materials | en |
| dc.title | Fast homoepitaxial growth of 4H-SiC with low basal-plane dislocation density and low trap concentration by hot-wall chemical vapor deposition | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 306 | - |
| dc.identifier.issue | 2 | - |
| dc.identifier.spage | 297 | - |
| dc.identifier.epage | 302 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.009 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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