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dc.contributor.authorFunaki, Tsuyoshien
dc.contributor.authorBalda, Juan Carlosen
dc.contributor.authorJunghans, Jeremyen
dc.contributor.authorKashyap, Avinash S.en
dc.contributor.authorMantooth, H. Alanen
dc.contributor.authorBarlow, Freden
dc.contributor.authorKimoto, Tsunenobuen
dc.contributor.authorHikihara, Takashien
dc.date.accessioned2008-11-17T03:01:08Z-
dc.date.available2008-11-17T03:01:08Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.issn0885-8993-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/67212-
dc.language.isoeng-
dc.publisherIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCen
dc.subjectdc-dc converter circuiten
dc.subjectdevice characterizationen
dc.subjecthigh temperature operationen
dc.subjectpackagingen
dc.subjectsilicon carbide (SiQ deviceen
dc.titlePower conversion with SiC devices at extremely high ambient temperaturesen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleIEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICSen
dc.identifier.volume22-
dc.identifier.issue4-
dc.identifier.spage1321-
dc.identifier.epage1329-
dc.relation.doi10.1109/TPEL.2007.900561-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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