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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Oshima, Takayoshi | en |
| dc.contributor.author | Okuno, Takeya | en |
| dc.contributor.author | Fujita, Shizuo | en |
| dc.date.accessioned | 2008-11-17T03:01:54Z | - |
| dc.date.available | 2008-11-17T03:01:54Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/67263 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | Ga2O3 | en |
| dc.subject | molecular beam epitaxy | en |
| dc.subject | c-plane sapphire | en |
| dc.subject | deep-ultraviolet photodetector | en |
| dc.title | Ga2O3 thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy for deep-ultraviolet photodetectors | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 46 | - |
| dc.identifier.issue | 11 | - |
| dc.identifier.spage | 7217 | - |
| dc.identifier.epage | 7220 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.46.7217 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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