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dc.contributor.authorLu, J. G.en
dc.contributor.authorFujita, S.en
dc.contributor.authorKawaharamura, T.en
dc.contributor.authorNishinaka, H.en
dc.contributor.authorKamada, Y.en
dc.contributor.authorOhshima, T.en
dc.contributor.authorYe, Z. Z.en
dc.contributor.authorZeng, Y. J.en
dc.contributor.authorZhang, Y. Z.en
dc.contributor.authorZhu, L. P.en
dc.contributor.authorHe, H. P.en
dc.contributor.authorZhao, B. H.en
dc.date.accessioned2008-11-17T03:01:58Z-
dc.date.available2008-11-17T03:01:58Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/67267-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleCarrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO : Al filmsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume101-
dc.identifier.issue8-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum083705-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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