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dc.contributor.authorOmae, Ken
dc.contributor.authorKawakami, Yen
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.contributor.authorNarukawa, Yen
dc.contributor.authorMukai, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T03:25:32Z-
dc.date.available2007-03-28T03:25:32Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn1098-0121-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/6758-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMERICAN PHYSICAL SOCen
dc.titleEffects of internal electrical field on transient absorption in InxGa1-xN thin layers and quantum wells with different thickness by pump and probe spectroscopyen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitlePHYSICAL REVIEW Ben
dc.identifier.volume68-
dc.identifier.issue8-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.68.085303-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum085303-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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