ダウンロード数: 929
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| D_Akiyama_Masahiro.pdf | Dissertation_全文 | 16.92 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| ykogr02503.pdf | Abstract_要旨 | 191.58 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | 有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究 |
| 著者: | 秋山, 正博  |
| 著者名の別形: | Akiyama, Masahiro |
| 発行日: | 23-Jul-1991 |
| 出版者: | 京都大学 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・論文博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 乙第7601号 |
| 学位記番号: | 論工博第2503号 |
| 学位授与年月日: | 1991-07-23 |
| 請求記号: | 新制||工||850(附属図書館) |
| 論文調査委員: | (主査)教授 松波 弘之, 教授 佐々木 昭夫, 教授 藤田 茂夫 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第2項該当 |
| DOI: | 10.11501/3057623 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/74584 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。