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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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D_Akiyama_Masahiro.pdf | Dissertation_全文 | 16.92 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
ykogr02503.pdf | Abstract_要旨 | 191.58 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | 有機金属気相成長法によるSi基板上へのGaAsのヘテロエピタキシャル成長の研究 |
著者: | 秋山, 正博 |
著者名の別形: | Akiyama, Masahiro |
発行日: | 23-Jul-1991 |
出版者: | 京都大学 |
学位授与大学: | 京都大学 |
学位の種類: | 新制・論文博士 |
取得分野: | 博士(工学) |
報告番号: | 乙第7601号 |
学位記番号: | 論工博第2503号 |
学位授与年月日: | 1991-07-23 |
請求記号: | 新制||工||850(附属図書館) |
論文調査委員: | (主査)教授 松波 弘之, 教授 佐々木 昭夫, 教授 藤田 茂夫 |
学位授与の要件: | 学位規則第4条第2項該当 |
DOI: | 10.11501/3057623 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/74584 |
出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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