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dc.contributor.authorTakahashi, Ken
dc.contributor.authorMitamura, Ten
dc.contributor.authorOno, Ken
dc.contributor.authorSetsuhara, Yen
dc.contributor.authorItoh, Aen
dc.contributor.authorTachibana, Ken
dc.date.accessioned2007-03-28T03:11:18Z-
dc.date.available2007-03-28T03:11:18Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/7548-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleCharacterization of porosity and dielectric constant of fluorocarbon porous films synthesized by using plasma-enhanced chemical vapor deposition and solvent processen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume82-
dc.identifier.issue15-
dc.identifier.spage2476-
dc.identifier.epage2478-
dc.relation.doi10.1063/1.1567050-
dc.textversionnone-
dc.relation.urlhttp://hdl.handle.net/2433/7548-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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