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dc.contributor.authorArai, Nobutoshien
dc.contributor.authorTsuji, Hiroshien
dc.contributor.authorNakatsuka, Hiroyukien
dc.contributor.authorKojima, Kenjien
dc.contributor.authorAdachi, Kouichirouen
dc.contributor.authorKotaki, Hiroshien
dc.contributor.authorIshibashi, Toyotsuguen
dc.contributor.authorGotoh, Yasuhitoen
dc.contributor.authorIshikawa, Junzoen
dc.date.accessioned2009-06-23T05:25:51Z-
dc.date.available2009-06-23T05:25:51Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.issn0921-5107-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/78590-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE SAen
dc.subjection implantationen
dc.subjectheat treatmenten
dc.subjectgermaniumen
dc.subjectphoto-luminescenceen
dc.titleGermanium nanoparticles formation in silicon dioxide layer by multi-energy implantation of Ge negative ions and their photo-luminescenceen
dc.typeconference paper-
dc.type.niitypeConference Paper-
dc.identifier.jtitleMATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGYen
dc.identifier.volume147-
dc.identifier.issue2-3-
dc.identifier.spage230-
dc.identifier.epage234-
dc.relation.doi10.1016/j.mseb.2007.08.023-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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