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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yamaji, Kazuki | en |
| dc.contributor.author | Noborio, Masato | en |
| dc.contributor.author | Suda, Jun | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.date.accessioned | 2009-06-23T05:26:05Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-23T05:26:05Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/78604 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | channel mobility | en |
| dc.subject | interface state density | en |
| dc.title | Improvement of Channel Mobility in Inversion-Type n-Channel GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by High-Temperature Annealing | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | en |
| dc.identifier.volume | 47 | - |
| dc.identifier.issue | 10(Part 1) | - |
| dc.identifier.spage | 7784 | - |
| dc.identifier.epage | 7787 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.47.7784 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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