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完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
---|---|---|
dc.contributor.author | Senga, Kei | en |
dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
dc.contributor.author | Suda, Jun | en |
dc.date.accessioned | 2009-06-23T05:26:07Z | - |
dc.date.available | 2009-06-23T05:26:07Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/78607 | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
dc.subject | silicon carbide | en |
dc.subject | hydrogen implantation | en |
dc.subject | Smart-Cut (R) technology | en |
dc.title | Hydrogen implantation and annealing-induced exfoliation process in SiC wafers with various crystal orientations | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | en |
dc.identifier.volume | 47 | - |
dc.identifier.issue | 7(Part 1) | - |
dc.identifier.spage | 5352 | - |
dc.identifier.epage | 5354 | - |
dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.47.5352 | - |
dc.textversion | none | - |
dcterms.accessRights | metadata only access | - |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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