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dc.contributor.authorSenga, Keien
dc.contributor.authorKimoto, Tsunenobuen
dc.contributor.authorSuda, Junen
dc.date.accessioned2009-06-23T05:26:07Z-
dc.date.available2009-06-23T05:26:07Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.issn0021-4922-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/78607-
dc.language.isoeng-
dc.publisherINST PURE APPLIED PHYSICSen
dc.subjectsilicon carbideen
dc.subjecthydrogen implantationen
dc.subjectSmart-Cut (R) technologyen
dc.titleHydrogen implantation and annealing-induced exfoliation process in SiC wafers with various crystal orientationsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume47-
dc.identifier.issue7(Part 1)-
dc.identifier.spage5352-
dc.identifier.epage5354-
dc.relation.doi10.1143/JJAP.47.5352-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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