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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Tokuda, T | en |
| dc.contributor.author | Noda, S | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:15:51Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:15:51Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/7890 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | JAPAN J APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | wafer fusion | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | I-V characteristics | en |
| dc.title | Wafer fusion technique applied to GaN/GaN system | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 39 | - |
| dc.identifier.issue | 6B | - |
| dc.identifier.spage | L572 | - |
| dc.identifier.epage | L574 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.39.L572 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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