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dc.contributor.authorTsutsui, Men
dc.contributor.authorZhang, LTen
dc.contributor.authorIto, Ken
dc.contributor.authorYamaguchi, Aen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:39:50Z-
dc.date.available2007-03-28T03:39:50Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.issn0966-9795-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8007-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCI LTDen
dc.subjectintermetallics, miscellaneousen
dc.subjectthermoelectric propertiesen
dc.subjectelectrical resistance and other electrical propertiesen
dc.subjectdefects : point defectsen
dc.titleEffects of in-doping on the thermoelectric properties of beta-Zn4Sb3en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleINTERMETALLICSen
dc.identifier.volume12-
dc.identifier.issue7-9-
dc.identifier.spage809-
dc.identifier.epage813-
dc.relation.doi10.1016/j.intermet.2004.02.030-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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