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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| D_Horita_Masahiro.pdf | Dissertation_全文 | 16.93 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| ykogk03100.pdf | Abstract_要旨 | 204.81 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Isopolytypic Growth of Nonpolar 4H-AlN on 4H-SiC and Its Device Applications |
| その他のタイトル: | 4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用 |
| 著者: | Horita, Masahiro |
| 著者名の別形: | 堀田, 昌宏 |
| キーワード: | 窒化アルミニウム(AlN) シリコンカーバイド(SiC) アイソポリタイプ 結晶成長 分子線エピタキシー |
| 発行日: | 23-Mar-2009 |
| 出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第14632号 |
| 学位記番号: | 工博第3100号 |
| 学位授与年月日: | 2009-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1461(附属図書館) |
| 整理番号: | 26984 |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 野田 進, 教授 川上 養一 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k14632 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/81830 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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