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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yano, H | en |
| dc.contributor.author | Katafuchi, F | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:59:32Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:59:32Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.issn | 0018-9383 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8475 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.subject | deep interface states | en |
| dc.subject | fixed oxide charges | en |
| dc.subject | interface | en |
| dc.subject | MOS | en |
| dc.subject | MOSFET's | en |
| dc.subject | reoxidation anneal | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | wet oxidation | en |
| dc.title | Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | en |
| dc.identifier.volume | 46 | - |
| dc.identifier.issue | 3 | - |
| dc.identifier.spage | 504 | - |
| dc.identifier.epage | 510 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/16.748869 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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