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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yoshida, S | en |
| dc.contributor.author | Doi, K | en |
| dc.contributor.author | Nakamura, K | en |
| dc.contributor.author | Tachibana, A | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:11:07Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:11:07Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0169-4332 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8559 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | formation of SiON film | en |
| dc.subject | hydrogen termination | en |
| dc.subject | nitridation of silicon surface | en |
| dc.subject | first-principle calculation | en |
| dc.subject | quantum mechanical energy density | en |
| dc.title | Theoretical study on the initial processes of nitridation of silicon thin film | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | APPLIED SURFACE SCIENCE | en |
| dc.identifier.volume | 216 | - |
| dc.identifier.issue | 1-4 | - |
| dc.identifier.spage | 141 | - |
| dc.identifier.epage | 148 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0169-4332(03)00503-8 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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