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| タイトル: | Homoepitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates by chemical vapor deposition |
| 著者: | Chen, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Takeuchi, Y Malhan, RK Matsunami, H |
| キーワード: | homoepitaxial growth trenched substrate 4H-SiC chemical vapor deposition |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 |
| 巻: | 457-460 |
| 開始ページ: | 189 |
| 終了ページ: | 192 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8730 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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