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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fujiwara, H | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Tojo, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:42:07Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:42:07Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8745 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | fast epitaxy | en |
| dc.subject | stacking fault | en |
| dc.subject | cathodeluminescence | en |
| dc.subject | photoluminescence | en |
| dc.subject | Schottky diode | en |
| dc.title | Reduction of stacking faults in fast epitaxial growth of 4H-SiC and its impacts on high-voltage Schottky diodes | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 | en |
| dc.identifier.volume | 483 | - |
| dc.identifier.spage | 151 | - |
| dc.identifier.epage | 154 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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