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タイトル: Complete micropipe dissociation in 4H-SiC(03(3)over-bar8) epitaxial growth and its impact on reverse characteristics of Schottky barrier diodes
著者: Kimoto, T
Danno, K
Fujihira, K
Shiomi, H
Matsunami, H
キーワード: (03(3)over-bar8)
epitaxial growth
micropipe closing
Schottky barrier diode
発行日: 2002
出版者: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
誌名: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002
巻: 433-4
開始ページ: 197
終了ページ: 200
URI: http://hdl.handle.net/2433/8792
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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