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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Nakazawa, S | en |
| dc.contributor.author | Fujihira, K | en |
| dc.contributor.author | Hirao, T | en |
| dc.contributor.author | Nakamura, S | en |
| dc.contributor.author | Chen, Y | en |
| dc.contributor.author | Hashimoto, K | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:47:08Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:47:08Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8793 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | (0338) plane | en |
| dc.subject | (1120) plane | en |
| dc.subject | deep-level | en |
| dc.subject | homoepitaxial growth | en |
| dc.subject | hot-wall CVD | en |
| dc.subject | impurity doping | en |
| dc.title | Recent achievements and future challenges in SiC homoepitaxial growth | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS | en |
| dc.identifier.volume | 389-3 | - |
| dc.identifier.spage | 165 | - |
| dc.identifier.epage | 170 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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