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| タイトル: | 4H-SiC (11(2)over-bar-0) epitaxial growth |
| 著者: | Kimoto, T Yamamoto, T Chen, ZY Yano, H Matsunami, H |
| キーワード: | 11(2)over-bar-0 chemical vapor deposition deep levels homoepitaxial growth X-ray diffraction |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 |
| 巻: | 338-3 |
| 開始ページ: | 189 |
| 終了ページ: | 192 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8794 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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