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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Miyamoto, N | en |
| dc.contributor.author | Saitoh, A | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.contributor.author | Hishida, Y | en |
| dc.contributor.author | Watanabe, M | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:04:54Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:04:54Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8818 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | electrical activation | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | pn junction diode | en |
| dc.title | Formation of deep pn junctions by MeV Al- and B-ion implantations into 4H-SiC and reverse characteristics | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 | en |
| dc.identifier.volume | 338-3 | - |
| dc.identifier.spage | 1347 | - |
| dc.identifier.epage | 1350 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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