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dc.contributor.authorNakamura, Sen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:16:07Z-
dc.date.available2007-03-28T03:16:07Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.issn0255-5476-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8829-
dc.language.isoeng-
dc.publisherTRANS TECH PUBLICATIONS LTDen
dc.subjectcold-wall CVDen
dc.subjectisothermal capacitance transient spectroscopyen
dc.subjectICTSen
dc.subjectphotoluminescenceen
dc.titleFast growth and doping characteristics of alpha-SiC in horizontal cold-wall chemical vapor depositionen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleSILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGSen
dc.identifier.volume389-3-
dc.identifier.spage183-
dc.identifier.epage186-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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