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| タイトル: | Wide-area homoepitaxial growth of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) by chemical vapor deposition |
| 著者: | Nakamura, S Kimoto, T Matsunami, H |
| キーワード: | atomic force microscopy AFM chemical vapor deposition CVD homoepitaxial growth nearly on-axis (0001) face surface step structures |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002 |
| 巻: | 433-4 |
| 開始ページ: | 149 |
| 終了ページ: | 152 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8831 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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