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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Katsumoto, K | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:15:09Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:15:09Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8840 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | Hall effect | en |
| dc.subject | phosphorus-ion implantation | en |
| dc.subject | sheet resistance | en |
| dc.subject | graphite cap | en |
| dc.title | Flat surface after high-temperature annealing for phosphorus-ion implanted 4H-SiC (0001) using graphite cap | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 | en |
| dc.identifier.volume | 457-460 | - |
| dc.identifier.spage | 933 | - |
| dc.identifier.epage | 936 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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