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dc.contributor.authorNoborio, Men
dc.contributor.authorKanzaki, Yen
dc.contributor.authorSuda, Jen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:51:11Z-
dc.date.available2007-03-28T03:51:11Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.issn0255-5476-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8847-
dc.language.isoeng-
dc.publisherTRANS TECH PUBLICATIONS LTDen
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectshort-channel effecten
dc.subjectpunchthroughen
dc.subjectthreshold voltageen
dc.subjectsubthreshold characteristicsen
dc.titleShort-Channel Effects in 4H-SiC MOSFETsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleSILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004en
dc.identifier.volume483-
dc.identifier.spage821-
dc.identifier.epage824-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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