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完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
---|---|---|
dc.contributor.author | Onojima, N | en |
dc.contributor.author | Kaido, J | en |
dc.contributor.author | Suda, J | en |
dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:25:56Z | - |
dc.date.available | 2007-03-28T03:25:56Z | - |
dc.date.issued | 2004 | - |
dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8856 | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
dc.subject | AlN | en |
dc.subject | SiC | en |
dc.subject | molecular-beam epitaxy (MBE) | en |
dc.subject | MIS | en |
dc.subject | interface states | en |
dc.title | Towards high-quality AlN/SiC hetero-interface by controlling initial processes in molecular-beam epitaxy | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 | en |
dc.identifier.volume | 457-460 | - |
dc.identifier.spage | 1569 | - |
dc.identifier.epage | 1572 | - |
dc.textversion | none | - |
dcterms.accessRights | metadata only access | - |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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