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| タイトル: | Heteroepitaxial growth of insulating AlN on 6H-SiC by MBE |
| 著者: | Onojima, N Suda, J  Matsunami, H |
| キーワード: | 6H-SiC AlN HCl gas etching insulator MIS molecular beam epitaxy |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS |
| 巻: | 389-3 |
| 開始ページ: | 1457 |
| 終了ページ: | 1460 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8857 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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