ダウンロード数: 214
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004751795.pdf | 263.58 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Narrow Gap Semiconductor (NGS)表面反転層(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) |
| 著者: | 大川, 房義  |
| 著者名の別形: | Okawa, Fusayoshi |
| 発行日: | 20-Oct-1973 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 21 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | F68 |
| 終了ページ: | F72 |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/88671 |
| 出現コレクション: | Vol.21 No.1 |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。