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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Wada, A | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Nishikawa, K | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:36:03Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:36:03Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8904 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | hot-wall CVD | en |
| dc.subject | C face | en |
| dc.subject | homoepitaxy | en |
| dc.subject | deep level | en |
| dc.title | Improved surface morphology and background doping concentration in 4H-SiC(000-1) epitaxial growth by hot-wall CVD | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 | en |
| dc.identifier.volume | 483 | - |
| dc.identifier.spage | 85 | - |
| dc.identifier.epage | 88 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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