このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yano, H | en |
| dc.contributor.author | Hirao, T | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.contributor.author | Asano, K | en |
| dc.contributor.author | Sugawara, Y | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:34:23Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:34:23Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8918 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | (1120) face | en |
| dc.subject | anisotropy | en |
| dc.subject | electron trap | en |
| dc.subject | inversion channel mobility | en |
| dc.subject | MOSFETs | en |
| dc.subject | scattering mechanisms | en |
| dc.subject | threshold voltage | en |
| dc.title | Anisotropy of inversion channel mobility in 4H-and 6H-SIC MOSFETs on (11(2)over-bar0) face | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 | en |
| dc.identifier.volume | 338-3 | - |
| dc.identifier.spage | 1105 | - |
| dc.identifier.epage | 1108 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。