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dc.contributor.authorYano, Hen
dc.contributor.authorKatafuchi, Fen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:11:36Z-
dc.date.available2007-03-28T03:11:36Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.issn0951-3248-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8919-
dc.language.isoeng-
dc.publisherIOP PUBLISHING LTDen
dc.titleEffects of oxidation/anneal atmosphere on SiC MOS interface and MOSFETsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleCOMPOUND SEMICONDUCTORS 1998en
dc.identifier.issue162-
dc.identifier.spage723-
dc.identifier.epage728-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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