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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yano, H | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.contributor.author | Bassler, M | en |
| dc.contributor.author | Pensl, G | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:45:05Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:45:05Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8920 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | 15R-SiC | en |
| dc.subject | channel mobility | en |
| dc.subject | interface state | en |
| dc.subject | MOSFETs | en |
| dc.subject | near-interface traps | en |
| dc.subject | polytype | en |
| dc.subject | threshold voltage | en |
| dc.title | MOSFET performance of 4H-, 6H-, and 15R-SiC processed by dry and wet oxidation | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 | en |
| dc.identifier.volume | 338-3 | - |
| dc.identifier.spage | 1109 | - |
| dc.identifier.epage | 1112 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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