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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004811251.pdf | 57.79 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | 半導体中の深い欠陥準位を介した多重フォノン無頼射再結合によって誘起される動的欠陥反応(非線形緩和過程の統計物理,研究会報告) |
| 著者: | 住, 斉  |
| 著者名の別形: | Sumi, Hitoshi |
| 発行日: | 20-Dec-1982 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 39 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | C17 |
| 終了ページ: | C17 |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/90804 |
| 出現コレクション: | Vol.39 No.3 |
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