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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004812218.pdf | 152.16 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Miura, N. | en |
| dc.contributor.author | Isawa, Y. | en |
| dc.contributor.transcription | ミウラ | ja |
| dc.contributor.transcription | イサワ | ja |
| dc.date.accessioned | 2010-01-07T09:31:04Z | - |
| dc.date.available | 2010-01-07T09:31:04Z | - |
| dc.date.issued | 1983-07-20 | - |
| dc.identifier.issn | 0525-2997 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/91062 | - |
| dc.description | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 | ja |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | 物性研究刊行会 | ja |
| dc.subject.ndc | 428 | - |
| dc.title | 35. A.C. Conductivity and the Electron Localization in Si MOS-FET under High Magnetic Fields(Experiments,IV. Quantized Hall Effects) | en |
| dc.type | departmental bulletin paper | - |
| dc.type.niitype | Departmental Bulletin Paper | - |
| dc.identifier.ncid | AN0021948X | - |
| dc.identifier.jtitle | 物性研究 | ja |
| dc.identifier.volume | 40 | - |
| dc.identifier.issue | 4 | - |
| dc.identifier.spage | 116 | - |
| dc.identifier.epage | 118 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.sortkey | 52 | - |
| dc.address | Institute for Solid State Physics University of Tokyo | en |
| dc.address | Institute for Solid State Physics University of Tokyo | en |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | Vol.40 No.4 | |
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