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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004812216.pdf | 145.88 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | 33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects) |
| 著者: | Kinoshita, J. Yoshihiro, K. |
| 発行日: | 20-Jul-1983 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 40 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 110 |
| 終了ページ: | 112 |
| 抄録: | Random peaked structures have been observed both in the Hall and transverse resistivities traced against the gate voltage for Si-MOSFETs. The amplitude amounts to 30% Of the transverse resistivity when the electron concentration is 5 x 10^<11> cm^<-2>, at 12mK. These observations suggest that a limitation of the precision would exist for the determination of h/e^2 based on the quantum Hall effect. |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/91064 |
| 出現コレクション: | Vol.40 No.4 |
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