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dc.contributor.author海老沢, 丕道ja
dc.contributor.alternativeEbisawa, H.en
dc.contributor.transcriptionエビサワja
dc.date.accessioned2010-01-07T09:31:28Z-
dc.date.available2010-01-07T09:31:28Z-
dc.date.issued1983-07-20-
dc.identifier.issn0525-2997-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/91081-
dc.descriptionこの論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。ja
dc.description.abstract電子散乱のつよい、いわゆるdirtyな超伝導体では転移温度Tcの近くで熱的ゆらぎの効果がつよく現れる。電気抵抗のゆらぎ効果の研究は1970年頃活溌に行なわれた。しかし当時は無視していた現象、考えていなかった機構等があり、それを最近の弱局在領域でのAnderson局在及び相互作用の効果の研究の進歩を背景にして考え直してみようと思う。ここでの問題は、特に薄膜(二次元的な系)における、いわゆくMaki項の長波長発散を抑える対破壊(pair-beaking)パラメータの起源と、そのdertineeへの依存性を考えることである。以下に、前川禎通・福山秀敏との共同研究の結果を報告する。ja
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isojpn-
dc.publisher物性研究刊行会ja
dc.subject.ndc428-
dc.title16. 超伝導ゆらぎと弱局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)ja
dc.title.alternative16. Superconducting Fluctuation and Weak Localization(Theories,II Two Dimensional Systems)en
dc.typedepartmental bulletin paper-
dc.type.niitypeDepartmental Bulletin Paper-
dc.identifier.ncidAN0021948X-
dc.identifier.jtitle物性研究ja
dc.identifier.volume40-
dc.identifier.issue4-
dc.identifier.spage53-
dc.identifier.epage54-
dc.textversionpublisher-
dc.sortkey33-
dc.address東北大工ja
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:Vol.40 No.4

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